Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Fellaoui K$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Fellaoui K. Theoretical Analysis of Optical Gain in GaN / AlxGa1 – xN Quantum Well Lasers [Електронний ресурс] / K. Fellaoui, D. Abouelaoualim, A. E. Elkadadra, A. Oueriagli // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04061-1-04061-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_63 In this study we investigated numerically the effect of aluminum concentration, temperature and well width on optical gain GaN/AlxGa1-xN quantum well lasers, taken into account effective mass approximation. The numerical results clearly show that the increasing of well width, and decreasing of temperature and aluminum concentration, the optical gain increases.
|
|
|